韓國警方3日表示，一名 三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司泄漏20納米DRAM內(nèi)存芯片技術，遭逮捕并移送檢方。

韓聯(lián)社報道，首爾警察廳產(chǎn)業(yè)技術安全偵查隊今天指出，64歲三星電子前工程師因涉嫌違反"職業(yè)安定法"被捕，并移送首爾中央地方檢察廳。

據(jù)報道，該男曾以顧問身分參與創(chuàng)立成都高真公司，同時期還在韓國成立獵頭公司，以至少2至3倍的優(yōu)渥薪資挖角三星電子核心技術人才，協(xié)助在中國"復刻"動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）工廠，并于2022年4月成功生產(chǎn)半導體晶圓。

這座DRAM工廠從完工到投產(chǎn)僅費時1年3個月。一般來說， 晶圓從測試到量產(chǎn)通常需要4至5年。

韓國警方提到，外流技術的經(jīng)濟價值高達4.3萬億韓元（約30.4億美元），若考慮相關經(jīng)濟效益，實際損失規(guī)模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據(jù)悉獵頭公司已挖角逾30名技術人員。

盡管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據(jù)刑責較輕的「職業(yè)安定法」、而非「產(chǎn)業(yè)技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋，根據(jù)現(xiàn)行法規(guī)，以「挖角」方式外流技術的行為不屬于「產(chǎn)業(yè)技術保護法」規(guī)定的懲處范圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業(yè)間諜。

報道指，包括前三星電子工程師在內(nèi)，此次技術外泄案共有21人遭移送法辦。

成都高真創(chuàng)辦人、三星電子前常務兼 SK海力士（SK Hynix）前副社長崔珍奭等人則已被捕，他們涉嫌違反「產(chǎn)業(yè)技術保護法」及「防止不正當競爭及商業(yè)秘密保護法」。

來 源 | EETOP

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